三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片

　　三星称，2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30%，生产成本效率提高了一倍多。三星用于笔记本电脑、台式电脑和服务器的2GB DDR3内存芯片只使用1.5伏或1.35伏电源。

　　据经营在线内存芯片市场的DRAMeXchange Technology称，由于DDR3内存芯片降低了耗电量和提供了速度，DDR3内存可能会在本季度取代其以前的产品DDR2内存。PC厂商正在积极地推动在笔记本电脑和服务器中使用这种内存芯片。

　　使用30纳米生产技术将使三星电子领先于竞争的DRAM内存厂商。三星电子称，其30纳米DDR3芯片将在今年下半年大批量生产，并且计划在2010年年底之前将这种新的技术应用到大多数内存芯片生产中。

　　英特尔和美光科技的合资企业IM Flash Technologies是领先于三星的少数几家公司之一。这个公司正在使用25纳米技术生产闪存芯片。这家公司不生产DRAM内存芯片。

　　三星称，在DDR3内存芯片生产中，30纳米技术比老式的40纳米技术的生产效率提高了60%。芯片厂商一般不会把节省的成本立即提供给消费者，因为他们首先需要收回推出这个技术所需要的大规模的投资。

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